BUK9K6R2-40E,115,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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BUK9K6R2-40E,115
BUK9K6R2-40E,115 -
MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BUK9K6R2-40E,115
仓库库存编号:
1727-7274-1-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A 68W Surface Mount LFPAK56D
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BUK9K6R2-40E,115产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-1205,8-LFPAK56
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
LFPAK56D
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
35.4nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
6 毫欧 @ 25A,10V
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
40A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3281pF @ 25V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA
漏源电压(Vdss)
40V
功率 - 最大值
68W
关键词
产品资料
数据列表
BUK9K6R2-40E
标准包装
1
其它名称
1727-7274-1
568-9904-1
568-9904-1-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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别名:ED2791
OSTOQ027151-ND
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别名:ED2793
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302S101
ED1543
Q4818586
无铅
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封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
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Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-1205,8-LFPAK56
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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供应商器件封装 LFPAK56D
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漏源电压(Vdss) 40V
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功率 - 最大值 68W
Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 68W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 68W
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 68W
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