NX3008NBKMB,315,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

NX3008NBKMB,315 - 

MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN

Nexperia USA Inc. NX3008NBKMB,315
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NX3008NBKMB,315
仓库库存编号：
1727-1234-1-ND
描述：
MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 530mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

NX3008NBKMB,315产品属性


产品规格
  封装/外壳  3-XFDFN  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  3-DFN1006B（0.6x1）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  0.68nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  1.8V，4.5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  530mA（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  50pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.1V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  360mW（Ta），2.7W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 NX3008NBKMB
标准包装 1
其它名称 1727-1234-1
568-10439-1
568-10439-1-ND

NX3008NBKMB,315您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

NX3008NBKMB,315相关搜索

封装/外壳 3-XFDFN  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 3-XFDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 3-XFDFN  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 3-XFDFN   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 3-DFN1006B（0.6x1）  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 3-DFN1006B（0.6x1）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 3-DFN1006B（0.6x1）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 3-DFN1006B（0.6x1）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Nexperia USA Inc. 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±8V  Nexperia USA Inc. Vgs（最大值） ±8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.68nC @ 4.5V  Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.68nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.68nC @ 4.5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.68nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V  Nexperia USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  Nexperia USA Inc. 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V   FET 类型 N 沟道  Nexperia USA Inc. FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 530mA（Ta）  Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 530mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 530mA（Ta）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 530mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 15V  Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 15V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 15V   FET 功能 -  Nexperia USA Inc. FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA   功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）  Nexperia USA Inc. 功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 360mW（Ta），2.7W（Tc）   漏源电压（Vdss） 30V  Nexperia USA Inc. 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号