NX3008NBKSH,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

NX3008NBKSH - 

NX3008NBKS/SC-88/REEL 7" Q3/T4

Nexperia USA Inc. NX3008NBKSH
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NX3008NBKSH
仓库库存编号：
1727-2726-1-ND
描述：
NX3008NBKS/SC-88/REEL 7" Q3/T4
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 350mA (Ta) 445mW Surface Mount 6-TSSOP
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

NX3008NBKSH产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  汽车级，AEC-Q101  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  6-TSSOP  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  0.68nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  350mA（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  50pF @ 15V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.1V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  445mW  
关键词         

产品资料
数据列表 NX3008NBKS
标准包装 1
其它名称 1727-2726-1
568-13290-1
568-13290-1-ND

NX3008NBKSH您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

NX3008NBKSH相关搜索

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 汽车级，AEC-Q101  Nexperia USA Inc. 系列 汽车级，AEC-Q101  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 6-TSSOP  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 6-TSSOP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-TSSOP  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-TSSOP   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.68nC @ 4.5V  Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.68nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.68nC @ 4.5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.68nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V  Nexperia USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Nexperia USA Inc. FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）  Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 15V  Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 15V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 15V   FET 功能 标准  Nexperia USA Inc. FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Nexperia USA Inc. 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 445mW  Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 445mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 445mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 445mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号