NX3008NBKW,115,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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NX3008NBKW,115
NX3008NBKW,115 -
MOSFET N-CH 30V SOT323
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
NX3008NBKW,115
仓库库存编号:
1727-1280-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V SOT323
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 260mW(Ta),830mW(Tc) SOT-323-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NX3008NBKW,115产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70,SOT-323
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-323-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.68nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
350mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
50pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
260mW(Ta),830mW(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
NX3008NBKW
标准包装
1
其它名称
1727-1280-1
568-10498-1
568-10498-1-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Molex, LLC
CONN HEADER 2POS 1.25MM VERT TIN
详细描述:2 位 接头 连接器 0.049"(1.25mm) 通孔 锡
型号:
0530470210
仓库库存编号:
WM1731-ND
别名:053047-0210
053047-0210-C
0530470210-C
530-47-0210-P
53047-0210
53047-0210-C
53047-0210-CL100
530470210
530470210-C
WM1731
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 270mA(Ta) 330mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
NTS4001NT1G
仓库库存编号:
NTS4001NT1GOSCT-ND
别名:NTS4001NT1GOSCT
无铅
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ON Semiconductor
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详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET?
型号:
NTHD3100CT1G
仓库库存编号:
NTHD3100CT1GOSCT-ND
别名:NTHD3100CT1GOSCT
无铅
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Nexperia USA Inc.
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323
型号:
BAT54AW,115
仓库库存编号:
1727-3567-1-ND
别名:1727-3567-1
568-3413-1
568-3413-1-ND
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT323
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 260mW(Ta),830mW(Tc) SOT-323-3
型号:
NX3008PBKW,115
仓库库存编号:
1727-1284-1-ND
别名:1727-1284-1
568-10503-1
568-10503-1-ND
无铅
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封装/外壳 SC-70,SOT-323
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SC-70,SOT-323
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.68nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 350mA(Ta)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 350mA(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 15V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 15V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 15V
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FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250μA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 260mW(Ta),830mW(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 260mW(Ta),830mW(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 260mW(Ta),830mW(Tc)
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漏源电压(Vdss) 30V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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