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产品规格

封装/外壳	SC-70，SOT-323
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-323-3
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	1nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	2.8 欧姆 @ 200mA，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	270mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	23.6pF @ 10V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 250μA
功率耗散（最大值）	310mW（Ta）, 1.67W（Tc）
漏源电压（Vdss）	60V
关键词

产品资料

数据列表	NX7002BKW
标准包装	1
其它名称	568-13170-1

封装/外壳 SC-70，SOT-323  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SC-70，SOT-323  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70，SOT-323  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70，SOT-323   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-323-3  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 SOT-323-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-323-3  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-323-3   技术 MOSFET（金属氧化物）  Nexperia USA Inc. 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Nexperia USA Inc. Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1nC @ 10V  Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1nC @ 10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 欧姆 @ 200mA，10V  Nexperia USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 欧姆 @ 200mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 欧姆 @ 200mA，10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.8 欧姆 @ 200mA，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V  Nexperia USA Inc. 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V   FET 类型 N 沟道  Nexperia USA Inc. FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）  Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 270mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23.6pF @ 10V  Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23.6pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23.6pF @ 10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23.6pF @ 10V   FET 功能 -  Nexperia USA Inc. FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA   功率耗散（最大值） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc）  Nexperia USA Inc. 功率耗散（最大值） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc）   漏源电压（Vdss） 60V  Nexperia USA Inc. 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V