关于我们 | 联系我们

库存查询

产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-236AB（SOT23）
晶体管类型	PNP - 预偏压
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	230 @ 300mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Power - Max	250mW
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	750mV @ 6mA，600mA
频率 - 跃迁	-
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	1k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	10k
关键词

产品资料

数据列表	PBRP113ZT
标准包装	1
其它名称	1727-5713-1 568-7258-1 568-7258-1-ND

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）   晶体管类型 PNP - 预偏压  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 PNP - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 PNP - 预偏压  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 PNP - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 230 @ 300mA，5V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 230 @ 300mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 230 @ 300mA，5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 230 @ 300mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  Nexperia USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V   Power - Max 250mW  Nexperia USA Inc. Power - Max 250mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 250mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 250mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA   Current - Collector (Ic) (Max) 600mA  Nexperia USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 600mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 600mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 600mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 750mV @ 6mA，600mA  Nexperia USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 750mV @ 6mA，600mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 750mV @ 6mA，600mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 750mV @ 6mA，600mA   频率 - 跃迁 -  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 -   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 1k  Nexperia USA Inc. 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 1k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 1k  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 1k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  Nexperia USA Inc. 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k