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产品规格

封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	DFN2020-6
晶体管类型	-
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	200 @ 1A，2V
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	290mV @ 200mA，2A
频率 - 跃迁	120MHz
功率 - 最大值	510mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	2A
电压 - 集射极击穿（最大值）	30V
关键词

产品资料

数据列表	PBSS4230PAN
标准包装	1
其它名称	1727-1073-1 568-10201-1 568-10201-1-ND

封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 DFN2020-6  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 DFN2020-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 DFN2020-6  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 DFN2020-6   晶体管类型 -  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 -   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 1A，2V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 1A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 1A，2V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 1A，2V   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 290mV @ 200mA，2A  Nexperia USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 290mV @ 200mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 290mV @ 200mA，2A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 290mV @ 200mA，2A   频率 - 跃迁 120MHz  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 120MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 120MHz  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 120MHz   功率 - 最大值 510mW  Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 510mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 510mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 510mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 2A  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 2A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 2A   电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  Nexperia USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V