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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	8-SO
晶体管类型	2 NPN（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	300 @ 1A，2V
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	340mV @ 270mA，2.7A
频率 - 跃迁	-
功率 - 最大值	750mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	2.7A
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	1727-1197-1 568-10383-1 568-10383-1-ND

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Nexperia USA Inc. 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态  已不再提供  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 8-SO  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 8-SO  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 8-SO  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 8-SO   晶体管类型 2 NPN（双）  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 2 NPN（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1A，2V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1A，2V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1A，2V   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 340mV @ 270mA，2.7A  Nexperia USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 340mV @ 270mA，2.7A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 340mV @ 270mA，2.7A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 340mV @ 270mA，2.7A   频率 - 跃迁 -  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 750mW  Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 750mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 750mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 750mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 2.7A  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 2.7A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 2.7A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 2.7A   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Nexperia USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V