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产品规格

封装/外壳	TO-243AA
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-89-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	250 @ 1A，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Power - Max	550mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	270mV @ 500mA，5A
频率 - 跃迁	120MHz
关键词

产品资料

数据列表	PBSS4480X
应用说明	Thermal Behavior Small-Signal Discretes
标准包装	1,000

封装/外壳 TO-243AA  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-243AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-243AA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-243AA   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-89-3  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 SOT-89-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-89-3  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-89-3   晶体管类型 NPN  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 250 @ 1A，2V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 250 @ 1A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 250 @ 1A，2V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 250 @ 1A，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  Nexperia USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V   Power - Max 550mW  Nexperia USA Inc. Power - Max 550mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 550mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 550mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA   Current - Collector (Ic) (Max) 4A  Nexperia USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 4A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 270mV @ 500mA，5A  Nexperia USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 270mV @ 500mA，5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 270mV @ 500mA，5A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 270mV @ 500mA，5A   频率 - 跃迁 120MHz  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 120MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 120MHz  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 120MHz