关于我们 | 联系我们

库存查询

产品规格

封装/外壳	3-XDFN 裸露焊盘
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	DFN1010D-3
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	130 @ 1A，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Power - Max	325mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	240mV @ 100mA，1A
频率 - 跃迁	170MHz
关键词

产品资料

数据列表	PBSS5130QA
标准包装	1
其它名称	1727-2255-1 568-12541-1 568-12541-1-ND

封装/外壳 3-XDFN 裸露焊盘  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 3-XDFN 裸露焊盘  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-XDFN 裸露焊盘  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-XDFN 裸露焊盘   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DFN1010D-3  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 DFN1010D-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DFN1010D-3  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DFN1010D-3   晶体管类型 PNP  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 130 @ 1A，2V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 130 @ 1A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 130 @ 1A，2V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 130 @ 1A，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  Nexperia USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V   Power - Max 325mW  Nexperia USA Inc. Power - Max 325mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 325mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 325mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Nexperia USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 240mV @ 100mA，1A  Nexperia USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 240mV @ 100mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 240mV @ 100mA，1A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 240mV @ 100mA，1A   频率 - 跃迁 170MHz  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 170MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 170MHz  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 170MHz