PBSS5130QAZ,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

PBSS5130QAZ - 

TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3

Nexperia USA Inc. PBSS5130QAZ
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PBSS5130QAZ
仓库库存编号:
1727-2255-1-ND
描述:
TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 1A 170MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

PBSS5130QAZ产品属性


产品规格
  封装/外壳  3-XDFN 裸露焊盘  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DFN1010D-3  
  晶体管类型  PNP  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  130 @ 1A,2V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  30V  
  Power - Max  325mW  
  电流 - 集电极截止(最大值)  100nA(ICBO)  
  Current - Collector (Ic) (Max)  1A  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  240mV @ 100mA,1A  
  频率 - 跃迁  170MHz  
关键词         

产品资料
数据列表 PBSS5130QA
标准包装 1
其它名称 1727-2255-1
568-12541-1
568-12541-1-ND

PBSS5130QAZ相关搜索

封装/外壳 3-XDFN 裸露焊盘  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 3-XDFN 裸露焊盘  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-XDFN 裸露焊盘  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-XDFN 裸露焊盘   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  Nexperia USA Inc. 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带(CT)   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DFN1010D-3  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 DFN1010D-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DFN1010D-3  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 DFN1010D-3   晶体管类型 PNP  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 130 @ 1A,2V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 130 @ 1A,2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 130 @ 1A,2V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 130 @ 1A,2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  Nexperia USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V   Power - Max 325mW  Nexperia USA Inc. Power - Max 325mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 325mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 325mW   电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)   Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Nexperia USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 240mV @ 100mA,1A  Nexperia USA Inc. 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 240mV @ 100mA,1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 240mV @ 100mA,1A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 240mV @ 100mA,1A   频率 - 跃迁 170MHz  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 170MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 170MHz  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 170MHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号