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• 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。

产品规格

封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	SOT-223
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	300 @ 1mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Power - Max	650mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	650mV @ 200mA，2A
频率 - 跃迁	150MHz
关键词

产品资料

数据列表	PBSS5240Z
标准包装	1
其它名称	1727-2338-1 568-12634-1 568-12634-1-ND

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Nexperia USA Inc. 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 SOT-223  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 SOT-223  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223   晶体管类型 PNP  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1mA，5V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1mA，5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  Nexperia USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V   Power - Max 650mW  Nexperia USA Inc. Power - Max 650mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 650mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 650mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA   Current - Collector (Ic) (Max) 2A  Nexperia USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 200mA，2A  Nexperia USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 200mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 200mA，2A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 200mA，2A   频率 - 跃迁 150MHz  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 150MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz