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产品规格

封装/外壳	SOT-563，SOT-666
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-666
晶体管类型	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 20mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	150mV @ 500μA，10mA
频率 - 跃迁	-
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	2.2k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	-
功率 - 最大值	300mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	P(E,U)MD30
标准包装	4,000
其它名称	934059928115 PEMD30 T/R PEMD30 T/R-ND

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-666  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SOT-666  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SOT-666   晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 20mA，5V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 20mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 20mA，5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 20mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA  Nexperia USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA   频率 - 跃迁 -  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 -   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  Nexperia USA Inc. 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Nexperia USA Inc. 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -   功率 - 最大值 300mW  Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 300mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 300mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Nexperia USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V