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产品规格

封装/外壳	SOT-563，SOT-666
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-666
晶体管类型	2 NPN（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 1mA，6V
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	200mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	100MHz
功率 - 最大值	300mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	40V
关键词

产品资料

数据列表	PEMX1
标准包装	4,000
其它名称	1727-1727-2 568-11269-2 568-11269-2-ND 934056704115 PEMX1 T/R PEMX1 T/R-ND PEMX1,115-ND

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-666  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-666  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-666   晶体管类型 2 NPN（双）  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 2 NPN（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，6V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，6V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，6V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，6V   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA  Nexperia USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 100MHz  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 100MHz  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 100MHz   功率 - 最大值 300mW  Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 300mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 300mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Nexperia USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V