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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	TrenchMOS??
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-SO
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	21nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	90 毫欧 @ 1.5A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	633pF @ 20V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	100V
功率 - 最大值	2W
关键词

产品资料

数据列表	PHKD3NQ10T
标准包装	2,500
其它名称	934055906518

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 TrenchMOS??  Nexperia USA Inc. 系列 TrenchMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchMOS??  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchMOS??   包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SO  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 8-SO  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V  Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 1.5A，10V  Nexperia USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 1.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 1.5A，10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 1.5A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Nexperia USA Inc. FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A  Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 633pF @ 20V  Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 633pF @ 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 633pF @ 20V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 633pF @ 20V   FET 功能 逻辑电平门  Nexperia USA Inc. FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 100V  Nexperia USA Inc. 漏源电压（Vdss） 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 100V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 100V   功率 - 最大值 2W  Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 2W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W