PHKD3NQ10T,518,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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PHKD3NQ10T,518 - 

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

  • 非库存货
Nexperia USA Inc. PHKD3NQ10T,518
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PHKD3NQ10T,518
仓库库存编号:
PHKD3NQ10T,518-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
2(1 年)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3A 2W Surface Mount 8-SO
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PHKD3NQ10T,518产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -65°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  TrenchMOS??  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SO  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  21nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  90 毫欧 @ 1.5A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  3A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  633pF @ 20V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 1mA  
  漏源电压(Vdss)  100V  
  功率 - 最大值  2W  
关键词         

产品资料
数据列表 PHKD3NQ10T
标准包装 2,500
其它名称 934055906518

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