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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	TrenchMOS??
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-SO
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	15.3nC @ 5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	20 毫欧 @ 3A，5V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	10.9A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	950pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	4.17W
关键词

产品资料

数据列表	PHKD6N02LT
标准包装	2,500
其它名称	934056831518 PHKD6N02LT /T3 PHKD6N02LT /T3-ND

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 TrenchMOS??  Nexperia USA Inc. 系列 TrenchMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchMOS??  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchMOS??   包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SO  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 8-SO  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.3nC @ 5V  Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.3nC @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.3nC @ 5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.3nC @ 5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 3A，5V  Nexperia USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 3A，5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 3A，5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 3A，5V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Nexperia USA Inc. FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.9A  Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.9A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.9A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.9A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 10V  Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  Nexperia USA Inc. FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 20V  Nexperia USA Inc. 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 4.17W  Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 4.17W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 4.17W  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 4.17W