PHP33NQ20T,127,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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PHP33NQ20T,127
PHP33NQ20T,127 -
MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
PHP33NQ20T,127
仓库库存编号:
1727-4647-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 32.7A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PHP33NQ20T,127产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
TrenchMOS??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220AB
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
32.2nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
77 毫欧 @ 15A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
32.7A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1870pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
230W(Tc)
漏源电压(Vdss)
200V
关键词
产品资料
数据列表
PHP33NQ20T
标准包装
50
其它名称
1727-4647
568-5764
568-5764-5
568-5764-5-ND
568-5764-ND
934058107127
PHP33NQ20T
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP530N15N3 G
仓库库存编号:
IPP530N15N3 G-ND
别名:IPP530N15N3G
IPP530N15N3GXKSA1
SP000521722
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP600N25N3 G
仓库库存编号:
IPP600N25N3 G-ND
别名:IPP600N25N3G
IPP600N25N3GXKSA1
SP000677832
无铅
搜索
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封装/外壳 TO-220-3
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-220-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 通孔
Nexperia USA Inc. 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 TrenchMOS??
Nexperia USA Inc. 系列 TrenchMOS??
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 TrenchMOS??
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包装 管件
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
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零件状态 在售
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-220AB
Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 TO-220AB
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Nexperia USA Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32.2nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 77 毫欧 @ 15A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32.7A(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32.7A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 25V
FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
功率耗散(最大值) 230W(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 230W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 230W(Tc)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 230W(Tc)
漏源电压(Vdss) 200V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 200V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
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