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产品规格

封装/外壳	SC-100，SOT-669
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	175°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	LFPAK56，Power-SO8
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	170 @ 500mA，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Power - Max	1.3W
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA
Current - Collector (Ic) (Max)	6A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	130mV @ 50mA，1A
频率 - 跃迁	116MHz
关键词

产品资料

数据列表	PHPT61006PY
标准包装	1
其它名称	1727-2271-1 568-12557-1 568-12557-1-ND

封装/外壳 SC-100，SOT-669  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SC-100，SOT-669  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-100，SOT-669  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-100，SOT-669   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 175°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 175°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 175°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 175°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8   晶体管类型 PNP  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 170 @ 500mA，2V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 170 @ 500mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 170 @ 500mA，2V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 170 @ 500mA，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  Nexperia USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V   Power - Max 1.3W  Nexperia USA Inc. Power - Max 1.3W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.3W  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.3W   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA   Current - Collector (Ic) (Max) 6A  Nexperia USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 6A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 130mV @ 50mA，1A  Nexperia USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 130mV @ 50mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 130mV @ 50mA，1A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 130mV @ 50mA，1A   频率 - 跃迁 116MHz  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 116MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 116MHz  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 116MHz