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产品规格

封装/外壳	3-XFDFN
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	汽车级，AEC-Q101
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	3-DFN1006B（0.6x1）
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 10mA，1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Power - Max	250mW
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	400mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	250MHz
关键词

产品资料

数据列表	PMBT3906MB
标准包装	10,000
其它名称	934065893315

封装/外壳 3-XFDFN  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 3-XFDFN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-XFDFN  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-XFDFN   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 汽车级，AEC-Q101  Nexperia USA Inc. 系列 汽车级，AEC-Q101  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 汽车级，AEC-Q101  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 汽车级，AEC-Q101   包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 3-DFN1006B（0.6x1）  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 3-DFN1006B（0.6x1）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-DFN1006B（0.6x1）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-DFN1006B（0.6x1）   晶体管类型 PNP  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  Nexperia USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V   Power - Max 250mW  Nexperia USA Inc. Power - Max 250mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 250mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 250mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  Nexperia USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  Nexperia USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 250MHz  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 250MHz  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 250MHz