PMDPB58UPE,115,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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PMDPB58UPE,115 - 

MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6

Nexperia USA Inc. PMDPB58UPE,115
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PMDPB58UPE,115
仓库库存编号：
1727-1237-1-ND
描述：
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.6A 515mW Surface Mount DFN2020-6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

PMDPB58UPE,115产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-UDFN 裸露焊盘  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DFN2020-6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  9.5nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  67 毫欧 @ 2A，4.5V  
  FET 类型  2 个 P 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3.6A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  804pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  950mV @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  20V  
  功率 - 最大值  515mW  
关键词         

产品资料
数据列表 PMDPB58UPE
标准包装 1
其它名称 1727-1237-1
568-10442-1
568-10442-1-ND

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