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产品规格

封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	DFN2020-6
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	8.6nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	102 毫欧 @ 2.7A，4.5V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.7A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	550pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平栅极，1.8V 驱动
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	485mW
关键词

产品资料

数据列表	PMDPB80XP
标准包装	1
其它名称	1727-1331-1 568-10763-1 568-10763-1-ND

封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Nexperia USA Inc. 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态  已不再提供  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 DFN2020-6  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 DFN2020-6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 DFN2020-6  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 DFN2020-6   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 4.5V  Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 4.5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.6nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 102 毫欧 @ 2.7A，4.5V  Nexperia USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 102 毫欧 @ 2.7A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 102 毫欧 @ 2.7A，4.5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 102 毫欧 @ 2.7A，4.5V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Nexperia USA Inc. FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A  Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 550pF @ 10V  Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 550pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 550pF @ 10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 550pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动  Nexperia USA Inc. FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 20V  Nexperia USA Inc. 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 485mW  Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 485mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 485mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 485mW