关于我们 | 联系我们

库存查询

产品规格

封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	6-HUSON（2x2）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	4.5nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	99 毫欧 @ 2.8A，4.5V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.7A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	258pF @ 15V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.25V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	510mW（Ta）
关键词

产品资料

数据列表	PMDPB95XNE2
标准包装	1
其它名称	1727-2691-1 568-13210-1 568-13210-1-ND

封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 6-HUSON（2x2）  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 6-HUSON（2x2）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-HUSON（2x2）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-HUSON（2x2）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V  Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 99 毫欧 @ 2.8A，4.5V  Nexperia USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 99 毫欧 @ 2.8A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 99 毫欧 @ 2.8A，4.5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 99 毫欧 @ 2.8A，4.5V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Nexperia USA Inc. FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）  Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 258pF @ 15V  Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 258pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 258pF @ 15V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 258pF @ 15V   FET 功能 标准  Nexperia USA Inc. FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.25V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.25V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.25V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.25V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Nexperia USA Inc. 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 510mW（Ta）  Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 510mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 510mW（Ta）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 510mW（Ta）