PMF370XN,115,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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PMF370XN,115
PMF370XN,115 -
MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT323
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
PMF370XN,115
仓库库存编号:
1727-5422-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT323
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 870mA(Tc) 560mW(Tc) SOT-323-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PMF370XN,115产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70,SOT-323
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
TrenchMOS??
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-323-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.65nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
440 毫欧 @ 200mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
870mA(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
37pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
560mW(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
PMF370XN
标准包装
1
其它名称
1727-5422-1
568-6871-1
568-6871-1-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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型号:
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仓库库存编号:
490-1005-1-ND
别名:490-1005-1
无铅
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TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB
型号:
SMBJ5.0A-13-F
仓库库存编号:
SMBJ5.0A-FDICT-ND
别名:SMBJ5.0A-FDICT
无铅
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型号:
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无铅
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型号:
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无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 290mW(Ta),1.67W(Tc) SOT-323-3
型号:
PMF170XP,115
仓库库存编号:
1727-1229-1-ND
别名:1727-1229-1
568-10415-1
568-10415-1-ND
无铅
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封装/外壳 SC-70,SOT-323
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SC-70,SOT-323
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 TrenchMOS??
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包装 剪切带(CT)
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供应商器件封装 SOT-323-3
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FET 类型 N 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 870mA(Tc)
Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 870mA(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 870mA(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 37pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 37pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 37pF @ 25V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 37pF @ 25V
FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
功率耗散(最大值) 560mW(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 560mW(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 560mW(Tc)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 560mW(Tc)
漏源电压(Vdss) 30V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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