PMF63UNEX,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
PMF63UNEX
PMF63UNEX -
MOSFET N-CH 20V 1.8A SC-70
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
PMF63UNEX
仓库库存编号:
1727-2694-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 20V 1.8A SC-70
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 20V 2.2A(Ta) 395mW(Ta) SC-70
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
PMF63UNEX产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70,SOT-323
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SC-70
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
5.85nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
65 毫欧 @ 2A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.2A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
289pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
395mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
PMF63UNE
标准包装
1
其它名称
1727-2694-1
568-13213-1
568-13213-1-ND
PMF63UNEX您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Mill-Max Manufacturing Corp.
CONN PIN RCPT .015-.025 SOLDER
详细描述:Pin Receptacle Connector 0.015" ~ 0.025" (0.38mm ~ 0.64mm) No Tail Solder
型号:
1401-0-15-15-30-27-10-0
仓库库存编号:
ED1033-ND
别名:1.40102E+15
1401-015153027100
1401-015153027100-ND
1401015153027100
ED1033
无铅
搜索
Molex, LLC
CONN HEADER 14POS 2MM R/A GOLD
详细描述:14 位 接头 连接器 0.079"(2.00mm) 通孔,直角 金
型号:
0878331420
仓库库存编号:
WM18863-ND
别名:087833-1420
087833-1420-E
0878331420-E
87833-1420
87833-1420-E
87833-1420-TB32
878331420
878331420-E
WM17472
WM17472-ND
WM18863
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
LED ORANGE 0402 SMD
详细描述:橙色 620nm LED 指示 - 分立 1.95V 0402(1005 公制)
型号:
LNJ847W83RA
仓库库存编号:
LNJ847W83RACT-ND
别名:LNJ847W83RACT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta) 430mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN2065UW-7
仓库库存编号:
DMN2065UW-7DICT-ND
别名:DMN2065UW-7DICT
无铅
搜索
ON Semiconductor
TVS DIODE 10.5V 100A 2UDFN
型号:
NSPM2051MUT5G
仓库库存编号:
NSPM2051MUT5GOSCT-ND
别名:NSPM2051MUT5GOSCT
无铅
搜索
PMF63UNEX相关搜索
封装/外壳 SC-70,SOT-323
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SC-70,SOT-323
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Nexperia USA Inc. 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SC-70
Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 SC-70
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SC-70
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SC-70
技术 MOSFET(金属氧化物)
Nexperia USA Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±8V
Nexperia USA Inc. Vgs(最大值) ±8V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.85nC @ 4.5V
Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.85nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.85nC @ 4.5V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.85nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 2A,4.5V
Nexperia USA Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 2A,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 2A,4.5V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 2A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
Nexperia USA Inc. 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
FET 类型 N 沟道
Nexperia USA Inc. FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta)
Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 289pF @ 10V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 289pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 289pF @ 10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 289pF @ 10V
FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
功率耗散(最大值) 395mW(Ta)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 395mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 395mW(Ta)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 395mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 20V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号