PMGD175XNEAX,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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PMGD175XNEAX - 

MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SOT363

  • 非库存货
Nexperia USA Inc. PMGD175XNEAX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PMGD175XNEAX
仓库库存编号：
PMGD175XNEAX-ND
描述：
MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SOT363
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 900mA (Ta) 390mW Surface Mount SOT-363
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PMGD175XNEAX产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-363  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  1.65nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  252 毫欧 @ 900mA，4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  900mA（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  81pF @ 15V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.25V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  390mW  
关键词         

产品资料
数据列表 PMGD175XNEA
标准包装 3,000
其它名称 934070692115

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