PMN16XNEX,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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PMN16XNEX
PMN16XNEX -
MOSFET N-CH 20V SC-74
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
PMN16XNEX
仓库库存编号:
1727-2696-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 20V SC-74
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 6.9A(Ta) 550mW(Ta), 6.25W(Tc) 6-TSOP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PMN16XNEX产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-74,SOT-457
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
6-TSOP
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
17nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
19 毫欧 @ 6.9A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6.9A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1136pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
功率耗散(最大值)
550mW(Ta), 6.25W(Tc)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
PMN16XNE
标准包装
1
其它名称
1727-2696-1
568-13215-1
568-13215-1-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 8.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.6A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
AO6404
仓库库存编号:
785-1071-1-ND
别名:785-1071-1
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V SC-74
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Ta) 530mW(Ta), 4.46W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN30UNEX
仓库库存编号:
1727-2697-1-ND
别名:1727-2697-1
568-13216-1
568-13216-1-ND
无铅
搜索
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封装/外壳 SC-74,SOT-457
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SC-74,SOT-457
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-74,SOT-457
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-74,SOT-457
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Nexperia USA Inc. 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 6-TSOP
Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 6-TSOP
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 6-TSOP
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±12V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 19 毫欧 @ 6.9A,4.5V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 19 毫欧 @ 6.9A,4.5V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
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FET 类型 N 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.9A(Ta)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.9A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1136pF @ 10V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1136pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1136pF @ 10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1136pF @ 10V
FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
功率耗散(最大值) 550mW(Ta), 6.25W(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 550mW(Ta), 6.25W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 550mW(Ta), 6.25W(Tc)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 550mW(Ta), 6.25W(Tc)
漏源电压(Vdss) 20V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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