PMP5501V,115,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

PMP5501V,115 - 

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666

Nexperia USA Inc. PMP5501V,115
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PMP5501V,115
仓库库存编号：
1727-5858-1-ND
描述：
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair 45V 100mA 175MHz 300mW Surface Mount SOT-666
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

PMP5501V,115产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563，SOT-666  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-666  
  晶体管类型  2 PNP（双）配对  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  200 @ 2mA，5V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  15nA（ICBO）  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  400mV @ 5mA，100mA  
  频率 - 跃迁  175MHz  
  功率 - 最大值  300mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  100mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  45V  
关键词         

产品资料
数据列表 PMP5501G,V,Y
标准包装 1
其它名称 1727-5858-1
568-7435-1
568-7435-1-ND

PMP5501V,115您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

PMP5501V,115相关搜索

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-666  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-666  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-666   晶体管类型 2 PNP（双）配对  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 2 PNP（双）配对  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP（双）配对  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP（双）配对   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，5V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 15nA（ICBO）  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 15nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 15nA（ICBO）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 15nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，100mA  Nexperia USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，100mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，100mA   频率 - 跃迁 175MHz  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 175MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 175MHz  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 175MHz   功率 - 最大值 300mW  Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 300mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 300mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 45V  Nexperia USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 45V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 45V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 45V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号