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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	6-DFN2020MD（2x2）
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	45nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	29 毫欧 @ 6.1A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	6.1A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1570pF @ 15V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	1.7W（Ta），12.5W（Tc）
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

数据列表	PMPB27EP
标准包装	1
其它名称	1727-1370-1 568-10819-1 568-10819-1-ND

封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Nexperia USA Inc. 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 6-DFN2020MD（2x2）  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 6-DFN2020MD（2x2）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 6-DFN2020MD（2x2）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 6-DFN2020MD（2x2）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Nexperia USA Inc. 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Nexperia USA Inc. Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V  Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 6.1A，10V  Nexperia USA Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 6.1A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 6.1A，10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 6.1A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Nexperia USA Inc. 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 P 沟道  Nexperia USA Inc. FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Ta）  Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Ta）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1570pF @ 15V  Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1570pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1570pF @ 15V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1570pF @ 15V   FET 功能 -  Nexperia USA Inc. FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 1.7W（Ta），12.5W（Tc）  Nexperia USA Inc. 功率耗散（最大值） 1.7W（Ta），12.5W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.7W（Ta），12.5W（Tc）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.7W（Ta），12.5W（Tc）   漏源电压（Vdss） 30V  Nexperia USA Inc. 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V