PMPB47XP,115,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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PMPB47XP,115
PMPB47XP,115 -
MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
PMPB47XP,115
仓库库存编号:
1727-1375-1-ND
描述:
MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 30V 4A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PMPB47XP,115产品属性
产品规格
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
6-DFN2020MD(2x2)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
21nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
58 毫欧 @ 4A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1365pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
PMPB47XP
标准包装
1
其它名称
1727-1375-1
568-10824-1
568-10824-1-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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型号:
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别名:1N914BWSCT
无铅
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型号:
SMDJ8.0A
仓库库存编号:
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别名:F3724CT
F3724CT-ND
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无铅
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Littelfuse Inc.
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:F3726CT
F3726CT-ND
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仓库库存编号:
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别名:1727-2297-1
568-12583-1
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Nexperia USA Inc.
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型号:
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别名:1727-2401-1
568-12700-1
568-12700-1-ND
无铅
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封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
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FET 类型 P 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Ta)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1365pF @ 15V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1365pF @ 15V
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FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),12.5W(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),12.5W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.7W(Ta),12.5W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 30V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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