PMPB55ENEAX,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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PMPB55ENEAX
PMPB55ENEAX -
PMPB55ENEA/SOT1220/REEL 7" Q1/
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
PMPB55ENEAX
仓库库存编号:
1727-2730-1-ND
描述:
PMPB55ENEA/SOT1220/REEL 7" Q1/
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.65W(Ta) 6-DFN2020MD(2x2)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PMPB55ENEAX产品属性
产品规格
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
6-DFN2020MD(2x2)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
12nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
56 毫欧 @ 10A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
435pF @ 30V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.65W(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
PMPB55ENEA
标准包装
1
其它名称
1727-2730-1
568-13294-1
568-13294-1-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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