PMV65XPEAR,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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PMV65XPEAR
PMV65XPEAR -
MOSFET P-CH 20V SOT23
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
PMV65XPEAR
仓库库存编号:
1727-2310-1-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V SOT23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 2.8A(Ta) 480mW(Ta), 6.25W(Tc) TO-236AB(SOT23)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PMV65XPEAR产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-236AB(SOT23)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
9nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
78 毫欧 @ 2.8A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.8A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
618pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.25V @ 250μA
功率耗散(最大值)
480mW(Ta), 6.25W(Tc)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
PMV65XPEA
标准包装
1
其它名称
1727-2310-1
568-12596-1
568-12596-1-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Ta) 480mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV65XP,215
仓库库存编号:
1727-3124-1-ND
别名:1727-3124-1
568-2358-1
568-2358-1-ND
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN327N
仓库库存编号:
FDN327NCT-ND
别名:FDN327NCT
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8638
仓库库存编号:
FDS8638CT-ND
别名:FDS8638CT
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
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仓库库存编号:
FDN308PFSCT-ND
别名:FDN308PFSCT
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IC VOLT PROT 2-CELL LI-ION 8SON
详细描述:Battery Battery Protection IC Lithium-Ion 8-SON (3x3)
型号:
BQ29209TDRBRQ1
仓库库存编号:
296-42324-1-ND
别名:296-42324-1
无铅
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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Vgs(最大值) ±12V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 4.5V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 2.8A,4.5V
Nexperia USA Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 2.8A,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 2.8A,4.5V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 2.8A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
Nexperia USA Inc. 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
FET 类型 P 沟道
Nexperia USA Inc. FET 类型 P 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Ta)
Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Ta)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.8A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 618pF @ 10V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 618pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 618pF @ 10V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 618pF @ 10V
FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250μA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250μA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250μA
功率耗散(最大值) 480mW(Ta), 6.25W(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 480mW(Ta), 6.25W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 480mW(Ta), 6.25W(Tc)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 480mW(Ta), 6.25W(Tc)
漏源电压(Vdss) 20V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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