PMZ320UPEYL,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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PMZ320UPEYL
PMZ320UPEYL -
MOSFET P-CH 30V SOT883
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
PMZ320UPEYL
仓库库存编号:
1727-2319-1-ND
描述:
MOSFET P-CH 30V SOT883
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PMZ320UPEYL产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-101,SOT-883
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
DFN1006-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
1.4nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
510 毫欧 @ 1A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
122pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250μA
功率耗散(最大值)
350mW(Ta), 6.25W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
PMZ320UPE
标准包装
1
其它名称
1727-2319-1
568-12605-1
568-12605-1-ND
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Nexperia USA Inc.
TVS DIODE 5.5VWM 13.5VC SOD962
型号:
PESD5V0L1BSF,315
仓库库存编号:
1727-5795-1-ND
别名:1727-5795-1
568-7345-1
568-7345-1-ND
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 350mW(Ta),5.43W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ290UNE2YL
仓库库存编号:
1727-2233-1-ND
别名:1727-2233-1
568-12503-1
568-12503-1-ND
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 1A XQFN3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 360mW(Ta),3.125W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ350UPEYL
仓库库存编号:
1727-2320-1-ND
别名:1727-2320-1
568-12606-1
568-12606-1-ND
无铅
搜索
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封装/外壳 SC-101,SOT-883
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SC-101,SOT-883
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-101,SOT-883
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-101,SOT-883
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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供应商器件封装 DFN1006-3
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 510 毫欧 @ 1A,4.5V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
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FET 类型 P 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 122pF @ 15V
Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 122pF @ 15V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 122pF @ 15V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 122pF @ 15V
FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA
Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA
功率耗散(最大值) 350mW(Ta), 6.25W(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 350mW(Ta), 6.25W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 350mW(Ta), 6.25W(Tc)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 350mW(Ta), 6.25W(Tc)
漏源电压(Vdss) 30V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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