PMZB670UPE,315,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

PMZB670UPE,315 - 

MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3

Nexperia USA Inc. PMZB670UPE,315
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PMZB670UPE,315
仓库库存编号:
1727-1380-1-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 680mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

PMZB670UPE,315产品属性


产品规格
  封装/外壳  3-XFDFN  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  3-DFN1006B(0.6x1)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  1.14nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  850 毫欧 @ 400mA,4.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  1.8V,4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  680mA(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  87pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.3V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  360mW(Ta),2.7W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  20V  
关键词         

产品资料
数据列表 PMZB670UPE
标准包装 1
其它名称 1727-1380-1
568-10845-1
568-10845-1-ND

PMZB670UPE,315相关搜索

封装/外壳 3-XFDFN  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 3-XFDFN  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 3-XFDFN  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 3-XFDFN   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带(CT)   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)   Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 3-DFN1006B(0.6x1)  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 3-DFN1006B(0.6x1)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 3-DFN1006B(0.6x1)  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 3-DFN1006B(0.6x1)   技术 MOSFET(金属氧化物)  Nexperia USA Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±8V  Nexperia USA Inc. Vgs(最大值) ±8V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.14nC @ 4.5V  Nexperia USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.14nC @ 4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.14nC @ 4.5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.14nC @ 4.5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 850 毫欧 @ 400mA,4.5V  Nexperia USA Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 850 毫欧 @ 400mA,4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 850 毫欧 @ 400mA,4.5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 850 毫欧 @ 400mA,4.5V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V  Nexperia USA Inc. 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V   FET 类型 P 沟道  Nexperia USA Inc. FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 680mA(Ta)  Nexperia USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 680mA(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 680mA(Ta)  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 680mA(Ta)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 87pF @ 10V  Nexperia USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 87pF @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 87pF @ 10V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 87pF @ 10V   FET 功能 -  Nexperia USA Inc. FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 250μA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 250μA   功率耗散(最大值) 360mW(Ta),2.7W(Tc)  Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 360mW(Ta),2.7W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 360mW(Ta),2.7W(Tc)  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 360mW(Ta),2.7W(Tc)   漏源电压(Vdss) 20V  Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号