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产品规格

封装/外壳	6-XFDFN 裸露焊盘
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	表面贴装
系列	汽车级，AEC-Q101
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	DFN1010B-6
晶体管类型	2 PNP 预偏压（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 5mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	150mV @ 500μA，10mA
频率 - 跃迁	180MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	10k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	10k
功率 - 最大值	230mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	PQMB11
标准包装	1
其它名称	1727-2708-1 568-13229-1 568-13229-1-ND

封装/外壳 6-XFDFN 裸露焊盘  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 6-XFDFN 裸露焊盘  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-XFDFN 裸露焊盘  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-XFDFN 裸露焊盘   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 汽车级，AEC-Q101  Nexperia USA Inc. 系列 汽车级，AEC-Q101  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 汽车级，AEC-Q101  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 汽车级，AEC-Q101   包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 DFN1010B-6  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 DFN1010B-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 DFN1010B-6  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 DFN1010B-6   晶体管类型 2 PNP 预偏压（双）  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 2 PNP 预偏压（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 PNP 预偏压（双）  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 PNP 预偏压（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA  Nexperia USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA   频率 - 跃迁 180MHz  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 180MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 180MHz  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 180MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  Nexperia USA Inc. 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  Nexperia USA Inc. 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k   功率 - 最大值 230mW  Nexperia USA Inc. 功率 - 最大值 230mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 230mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 230mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Nexperia USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V