PSMN0R9-25YLDX,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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PSMN0R9-25YLDX
PSMN0R9-25YLDX -
PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
PSMN0R9-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2494-1-ND
描述:
PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PSMN0R9-25YLDX产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-100,SOT-669
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
LFPAK56,Power-SO8
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
89.8nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
0.85 毫欧 @ 25A, 10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
300A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
6721pF @ 12V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 1mA
功率耗散(最大值)
238W(Tc)
漏源电压(Vdss)
25V
关键词
产品资料
数据列表
PSMN0R9-25YLD
标准包装
1
其它名称
1727-2494-1
568-12926-1
568-12926-1-ND
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别名:FDB86563_F085CT
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Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SC-100,SOT-669
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-100,SOT-669
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-100,SOT-669
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 25V
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