PSMN2R8-40PS,127,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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PSMN2R8-40PS,127
PSMN2R8-40PS,127 -
MOSFET N-CH 40V TO220AB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
PSMN2R8-40PS,127
仓库库存编号:
1727-5894-ND
描述:
MOSFET N-CH 40V TO220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 100A(Tc) 211W(Tc) TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PSMN2R8-40PS,127产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220AB
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
71nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
2.8 毫欧 @ 10A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4491pF @ 20V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
211W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
PSMN2R8-40PS
标准包装
50
其它名称
1727-5894
568-7513-5
568-7513-5-ND
934063986127
PSMN2R8-40PS,127-ND
PSMN2R840PS127
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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5-103639-9
仓库库存编号:
A33945-ND
别名:51036399
A33945
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 110V 23A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP23NQ11T,127
仓库库存编号:
1727-4642-ND
别名:1727-4642
568-5759
568-5759-5
568-5759-5-ND
568-5759-ND
934058501127
PHP23NQ11T
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别名:785-1608-5
AOTF27S60
AOTF27S60-ND
无铅
搜索
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封装/外壳 TO-220-3
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-220-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
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制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.8 毫欧 @ 10A,10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4491pF @ 20V
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FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
功率耗散(最大值) 211W(Tc)
Nexperia USA Inc. 功率耗散(最大值) 211W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 211W(Tc)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 211W(Tc)
漏源电压(Vdss) 40V
Nexperia USA Inc. 漏源电压(Vdss) 40V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
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