PSMN4R0-40YS,115,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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PSMN4R0-40YS,115
PSMN4R0-40YS,115 -
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
PSMN4R0-40YS,115
仓库库存编号:
1727-4273-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 106W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PSMN4R0-40YS,115产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-100,SOT-669
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
LFPAK56,Power-SO8
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
38nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4.2 毫欧 @ 15A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2410pF @ 20V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
106W(Tc)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
PSMN4R0-40YS
标准包装
1
其它名称
1727-4273-1
568-4905-1
568-4905-1-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Nexperia USA Inc.
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123F
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 1A(DC) SOD-123F
型号:
PMEG6010CEH,115
仓库库存编号:
1727-3848-1-ND
别名:1727-3848-1
568-4104-1
568-4104-1-ND
无铅
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封装/外壳 SC-100,SOT-669
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SC-100,SOT-669
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-100,SOT-669
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-100,SOT-669
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 LFPAK56,Power-SO8
Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 LFPAK56,Power-SO8
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 LFPAK56,Power-SO8
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
Nexperia USA Inc. Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 15A,10V
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 20V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 20V
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FET 功能 -
Nexperia USA Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
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功率耗散(最大值) 106W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 106W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 40V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
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