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PSMN8R5-100PSFQ - 

MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB

  • 非库存货
Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100PSFQ
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PSMN8R5-100PSFQ
仓库库存编号：
PSMN8R5-100PSFQ-ND
描述：
MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
通孔 N 沟道 100V 98A（Ta） 183W（Ta） TO-220AB
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PSMN8R5-100PSFQ产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-220AB  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  44.5nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  8.7 毫欧 @ 25A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  7V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  98A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  3181pF @ 50V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  183W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 PSMN8R5-100PSF
标准包装 50
其它名称 934070402127

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