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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SMT3; MPAK
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	85 @ 150mA，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	250mW
电流 - 集电极截止（最大值）	10nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	600mV @ 30mA，300mA
频率 - 跃迁	100MHz
关键词

产品资料

标准包装	12,000
其它名称	2PB710AQ T/R 2PB710AQ T/R-ND 934028610115

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SMT3; MPAK  NXP USA Inc. 供应商器件封装 SMT3; MPAK  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SMT3; MPAK  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SMT3; MPAK   晶体管类型 PNP  NXP USA Inc. 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 85 @ 150mA，10V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 85 @ 150mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 85 @ 150mA，10V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 85 @ 150mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  NXP USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 250mW  NXP USA Inc. Power - Max 250mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 250mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 250mW   电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  NXP USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  NXP USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 30mA，300mA  NXP USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 30mA，300mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 30mA，300mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 30mA，300mA   频率 - 跃迁 100MHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz