AFG24S100HR5,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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AFG24S100HR5
AFG24S100HR5 -
IC TRANS RF LDMOS
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
AFG24S100HR5
仓库库存编号:
AFG24S100HR5-ND
描述:
IC TRANS RF LDMOS
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet 1MHz ~ 2.5GHz 16.3dB 100W NI-360H-2SB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AFG24S100HR5产品属性
产品规格
封装/外壳
NI-360H-2SB
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
带卷(TR)
频率
1MHz ~ 2.5GHz
零件状态
在售
供应商器件封装
NI-360H-2SB
电压 - 额定
50V
额定电流
-
晶体管类型
-
电流 - 测试
-
增益
16.3dB
噪声系数
-
电压 - 测试
-
功率 - 输出
100W
关键词
产品资料
标准包装
50
其它名称
935320738128
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Cree/Wolfspeed
FET RF 84V 2.5GHZ 440199
详细描述:RF Mosfet HEMT 28V 2A 0Hz ~ 2.5GHz 19dB 220W 440199
型号:
CGH40180PP
仓库库存编号:
CGH40180PP-ND
无铅
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封装/外壳 NI-360H-2SB
NXP USA Inc. 封装/外壳 NI-360H-2SB
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 NI-360H-2SB
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 NI-360H-2SB
制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.
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系列 -
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)
频率 1MHz ~ 2.5GHz
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 1MHz ~ 2.5GHz
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零件状态 在售
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 在售
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供应商器件封装 NI-360H-2SB
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 NI-360H-2SB
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电压 - 额定 50V
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 50V
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增益 16.3dB
NXP USA Inc. 增益 16.3dB
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噪声系数 -
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功率 - 输出 100W
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