AFT09MS007NT1,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 射频
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

AFT09MS007NT1 - 

FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W

NXP USA Inc. AFT09MS007NT1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
AFT09MS007NT1
仓库库存编号：
AFT09MS007NT1CT-ND
描述：
FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
RF Mosfet LDMOS 7.5V 100mA 870MHz 15.2dB 7.3W PLD-1.5W-2
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

AFT09MS007NT1产品属性


产品规格
  封装/外壳  PLD-1.5W-2  
  制造商  NXP USA Inc.  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  频率  870MHz  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PLD-1.5W-2  
  电压 - 额定  30V  
  额定电流  -  
  晶体管类型  LDMOS  
  电流 - 测试  100mA  
  增益  15.2dB  
  噪声系数  -  
  电压 - 测试  7.5V  
  功率 - 输出  7.3W  
关键词         

产品资料
数据列表 AFT09MS007NT1
标准包装 1
其它名称 AFT09MS007NT1CT

AFT09MS007NT1您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

AFT09MS007NT1相关搜索

封装/外壳 PLD-1.5W-2  NXP USA Inc. 封装/外壳 PLD-1.5W-2  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 封装/外壳 PLD-1.5W-2  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 封装/外壳 PLD-1.5W-2   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 射频 包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 包装 剪切带（CT）    频率 870MHz  NXP USA Inc. 频率 870MHz  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 频率 870MHz  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 频率 870MHz   零件状态 在售  NXP USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 零件状态 在售  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 PLD-1.5W-2  NXP USA Inc. 供应商器件封装 PLD-1.5W-2  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 供应商器件封装 PLD-1.5W-2  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 供应商器件封装 PLD-1.5W-2   电压 - 额定 30V  NXP USA Inc. 电压 - 额定 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电压 - 额定 30V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电压 - 额定 30V   额定电流 -  NXP USA Inc. 额定电流 -  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 额定电流 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 额定电流 -   晶体管类型 LDMOS  NXP USA Inc. 晶体管类型 LDMOS  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS   电流 - 测试 100mA  NXP USA Inc. 电流 - 测试 100mA  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电流 - 测试 100mA  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电流 - 测试 100mA   增益 15.2dB  NXP USA Inc. 增益 15.2dB  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 增益 15.2dB  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 增益 15.2dB   噪声系数 -  NXP USA Inc. 噪声系数 -  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 噪声系数 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 噪声系数 -   电压 - 测试 7.5V  NXP USA Inc. 电压 - 测试 7.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电压 - 测试 7.5V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 电压 - 测试 7.5V   功率 - 输出 7.3W  NXP USA Inc. 功率 - 输出 7.3W  晶体管 - FET，MOSFET - 射频 功率 - 输出 7.3W  NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 功率 - 输出 7.3W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号