AFT09MS015NT1,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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AFT09MS015NT1
AFT09MS015NT1 -
FET RF 40V 870MHZ PLD
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
AFT09MS015NT1
仓库库存编号:
AFT09MS015NT1CT-ND
描述:
FET RF 40V 870MHZ PLD
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 12.5V 100mA 870MHz 17.2dB 16W PLD-1.5W-2
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AFT09MS015NT1产品属性
产品规格
封装/外壳
PLD-1.5W-2
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
剪切带(CT)
频率
870MHz
零件状态
在售
供应商器件封装
PLD-1.5W-2
电压 - 额定
40V
额定电流
-
晶体管类型
LDMOS
电流 - 测试
100mA
增益
17.2dB
噪声系数
-
电压 - 测试
12.5V
功率 - 输出
16W
关键词
产品资料
数据列表
AFT09MS015NT1
标准包装
1
其它名称
AFT09MS015NT1CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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详细描述:RF Mosfet LDMOS 13.6V 10mA 520MHz 17.7dB 31W TO-270-2
型号:
AFT05MS031NR1
仓库库存编号:
AFT05MS031NR1CT-ND
别名:AFT05MS031NR1CT
含铅
搜索
NXP USA Inc.
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型号:
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仓库库存编号:
AFT05MS006NT1CT-ND
别名:AFT05MS006NT1CT
无铅
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:AFT09MS007NT1CT
无铅
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NXP USA Inc.
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:AFT27S006NT1CT
无铅
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IC AMP HBT INGAP
详细描述:RF Amplifier IC LTE, TDS-CDMA, W-CDMA 130MHz ~ 1GHz 12-QFN (3x3)
型号:
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仓库库存编号:
MMZ09332BT1CT-ND
别名:MMZ09332BT1CT
无铅
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