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AFT31150NR5
AFT31150NR5 -
IC TRANS RF 150W 32V LDMOS
新产品
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
AFT31150NR5
仓库库存编号:
568-13436-ND
描述:
IC TRANS RF 150W 32V LDMOS
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 32V 100mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 17.2dB 150W OM-780-2
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AFT31150NR5产品属性
产品规格
封装/外壳
OM-780-2
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
频率
2.7GHz ~ 3.1GHz
零件状态
在售
供应商器件封装
OM-780-2
电压 - 额定
65V
额定电流
1μA
晶体管类型
LDMOS
电流 - 测试
100mA
增益
17.2dB
噪声系数
-
电压 - 测试
32V
功率 - 输出
150W
关键词
产品资料
数据列表
RF Power Products Selector Guide
AFT31150N
标准包装
50
其它名称
568-13436
935346512578
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封装/外壳 OM-780-2
NXP USA Inc. 封装/外壳 OM-780-2
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 OM-780-2
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制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.
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系列 -
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频率 2.7GHz ~ 3.1GHz
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零件状态 在售
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 在售
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供应商器件封装 OM-780-2
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 OM-780-2
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电压 - 额定 65V
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 65V
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额定电流 1μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 1μA
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晶体管类型 LDMOS
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS
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电流 - 测试 100mA
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增益 17.2dB
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 17.2dB
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电压 - 测试 32V
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功率 - 输出 150W
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