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产品规格

封装/外壳	SOD-110
制造商	NXP USA Inc.
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOD110
功率耗散（最大值）	-
二极管类型	标准 - 单
不同?Vr，F 时的电容	1.1pF @ 3V，1MHz
电流 - 最大值	100mA
电压 - 峰值反向（最大值）	35V
不同?If，F 时的电阻	700 毫欧 @ 3mA，200MHz
关键词

产品资料

标准包装	3,000
其它名称	934025520115 BA792 T/R BA792 T/R-ND

封装/外壳 SOD-110  NXP USA Inc. 封装/外壳 SOD-110  二极管 - 射频 封装/外壳 SOD-110  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 封装/外壳 SOD-110   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  二极管 - 射频 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 制造商 NXP USA Inc.   工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  二极管 - 射频 工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  二极管 - 射频 系列 -  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 包装 带卷（TR）   二极管 - 射频 包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 二极管 - 射频 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  二极管 - 射频 零件状态 过期  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 SOD110  NXP USA Inc. 供应商器件封装 SOD110  二极管 - 射频 供应商器件封装 SOD110  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 供应商器件封装 SOD110   功率耗散（最大值） -  NXP USA Inc. 功率耗散（最大值） -  二极管 - 射频 功率耗散（最大值） -  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 功率耗散（最大值） -   二极管类型 标准 - 单  NXP USA Inc. 二极管类型 标准 - 单  二极管 - 射频 二极管类型 标准 - 单  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 二极管类型 标准 - 单   不同?Vr，F 时的电容 1.1pF @ 3V，1MHz  NXP USA Inc. 不同?Vr，F 时的电容 1.1pF @ 3V，1MHz  二极管 - 射频 不同?Vr，F 时的电容 1.1pF @ 3V，1MHz  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 不同?Vr，F 时的电容 1.1pF @ 3V，1MHz   电流 - 最大值 100mA  NXP USA Inc. 电流 - 最大值 100mA  二极管 - 射频 电流 - 最大值 100mA  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 电流 - 最大值 100mA   电压 - 峰值反向（最大值） 35V  NXP USA Inc. 电压 - 峰值反向（最大值） 35V  二极管 - 射频 电压 - 峰值反向（最大值） 35V  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 电压 - 峰值反向（最大值） 35V   不同?If，F 时的电阻 700 毫欧 @ 3mA，200MHz  NXP USA Inc. 不同?If，F 时的电阻 700 毫欧 @ 3mA，200MHz  二极管 - 射频 不同?If，F 时的电阻 700 毫欧 @ 3mA，200MHz  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 不同?If，F 时的电阻 700 毫欧 @ 3mA，200MHz