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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	NXP USA Inc.
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-236AB（SOT23）
功率耗散（最大值）	250mW
二极管类型	PIN - 1 对串联
不同?Vr，F 时的电容	0.325pF @ 20V，1MHz
电流 - 最大值	100mA
电压 - 峰值反向（最大值）	60V
不同?If，F 时的电阻	1.3 欧姆 @ 100mA，100MHz
关键词

产品资料

标准包装	3,000
其它名称	568-11081-2 934056623215 BAP1321-04 T/R BAP1321-04 T/R-ND BAP1321-04,215-ND

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  二极管 - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  二极管 - 射频 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 制造商 NXP USA Inc.   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  二极管 - 射频 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  二极管 - 射频 系列 -  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 包装 带卷（TR）   二极管 - 射频 包装 带卷（TR）   NXP USA Inc. 二极管 - 射频 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  二极管 - 射频 零件状态 过期  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）  NXP USA Inc. 供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）  二极管 - 射频 供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 供应商器件封装 TO-236AB（SOT23）   功率耗散（最大值） 250mW  NXP USA Inc. 功率耗散（最大值） 250mW  二极管 - 射频 功率耗散（最大值） 250mW  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 功率耗散（最大值） 250mW   二极管类型 PIN - 1 对串联  NXP USA Inc. 二极管类型 PIN - 1 对串联  二极管 - 射频 二极管类型 PIN - 1 对串联  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 二极管类型 PIN - 1 对串联   不同?Vr，F 时的电容 0.325pF @ 20V，1MHz  NXP USA Inc. 不同?Vr，F 时的电容 0.325pF @ 20V，1MHz  二极管 - 射频 不同?Vr，F 时的电容 0.325pF @ 20V，1MHz  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 不同?Vr，F 时的电容 0.325pF @ 20V，1MHz   电流 - 最大值 100mA  NXP USA Inc. 电流 - 最大值 100mA  二极管 - 射频 电流 - 最大值 100mA  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 电流 - 最大值 100mA   电压 - 峰值反向（最大值） 60V  NXP USA Inc. 电压 - 峰值反向（最大值） 60V  二极管 - 射频 电压 - 峰值反向（最大值） 60V  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 电压 - 峰值反向（最大值） 60V   不同?If，F 时的电阻 1.3 欧姆 @ 100mA，100MHz  NXP USA Inc. 不同?If，F 时的电阻 1.3 欧姆 @ 100mA，100MHz  二极管 - 射频 不同?If，F 时的电阻 1.3 欧姆 @ 100mA，100MHz  NXP USA Inc. 二极管 - 射频 不同?If，F 时的电阻 1.3 欧姆 @ 100mA，100MHz