BBY31,215,NXP USA Inc.,分立半导体产品,二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
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BBY31,215 - 

DIODE UHF VAR CAP 30V SOT-23

  • 已过时的产品。
NXP USA Inc. BBY31,215
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BBY31,215
仓库库存编号:
568-1956-1-ND
描述:
DIODE UHF VAR CAP 30V SOT-23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Varactor Single 30V Surface Mount TO-236AB (SOT23)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BBY31,215产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 125°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-236AB(SOT23)  
  二极管类型  单一  
  不同?Vr,F 时的电容  2pF @ 28V,1MHz  
  电容比  8.3  
  电容比条件  C1/C28  
  不同 Vr,F 时的 Q 值  -  
  Voltage - Peak Reverse (Max)  30V  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 568-1956-1
BBY31215

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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  NXP USA Inc. 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 125°C(TJ)  NXP USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 125°C(TJ)  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 -55°C ~ 125°C(TJ)  NXP USA Inc. 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 -55°C ~ 125°C(TJ)   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -  NXP USA Inc. 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -   包装 剪切带(CT)   NXP USA Inc. 包装 剪切带(CT)   二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 剪切带(CT)   NXP USA Inc. 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 剪切带(CT)    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期  NXP USA Inc. 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)  NXP USA Inc. 供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)  NXP USA Inc. 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)   二极管类型 单一  NXP USA Inc. 二极管类型 单一  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一  NXP USA Inc. 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一   不同?Vr,F 时的电容 2pF @ 28V,1MHz  NXP USA Inc. 不同?Vr,F 时的电容 2pF @ 28V,1MHz  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 2pF @ 28V,1MHz  NXP USA Inc. 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 2pF @ 28V,1MHz   电容比 8.3  NXP USA Inc. 电容比 8.3  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 8.3  NXP USA Inc. 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 8.3   电容比条件 C1/C28  NXP USA Inc. 电容比条件 C1/C28  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C1/C28  NXP USA Inc. 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C1/C28   不同 Vr,F 时的 Q 值 -  NXP USA Inc. 不同 Vr,F 时的 Q 值 -  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 -  NXP USA Inc. 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 -   Voltage - Peak Reverse (Max) 30V  NXP USA Inc. Voltage - Peak Reverse (Max) 30V  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) Voltage - Peak Reverse (Max) 30V  NXP USA Inc. 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) Voltage - Peak Reverse (Max) 30V  
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