BC879,112,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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BC879,112 - 

TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92

  • 已过时的产品。
NXP USA Inc. BC879,112
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BC879,112
仓库库存编号：
BC879,112-ND
描述：
TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1A 200MHz 830mW Through Hole TO-92-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BC879,112产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-92-3  
  晶体管类型  NPN - 达林顿  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  2000 @ 500mA，10V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  80V  
  Power - Max  830mW  
  电流 - 集电极截止（最大值）  50nA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  1A  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  1.8V @ 1mA，1A  
  频率 - 跃迁  200MHz  
关键词         

产品资料
标准包装 1,000
其它名称 933467630112
BC879
BC879-ND

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