BF1101WR,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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BF1101WR,115
BF1101WR,115 -
MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
BF1101WR,115
仓库库存编号:
568-6140-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 12mA 800MHz CMPAK-4
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BF1101WR,115产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-82A,SOT-343
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
剪切带(CT)
频率
800MHz
零件状态
过期
供应商器件封装
CMPAK-4
电压 - 额定
7V
额定电流
30mA
晶体管类型
N 通道双门
电流 - 测试
12mA
增益
-
噪声系数
1.7dB
电压 - 测试
5V
功率 - 输出
-
关键词
产品资料
PCN 过时产品/ EOL
Multiple Devices 31/Dec/2011
标准包装
1
其它名称
568-6140-1
BF1101WR115
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 30mA(DC) SOD-523
型号:
RB751S40T1G
仓库库存编号:
RB751S40T1GOSCT-ND
别名:RB751S40T1GOSCT
无铅
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封装/外壳 SC-82A,SOT-343
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制造商 NXP USA Inc.
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.
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包装 剪切带(CT)
NXP USA Inc. 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 剪切带(CT)
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 剪切带(CT)
频率 800MHz
NXP USA Inc. 频率 800MHz
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 800MHz
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 800MHz
零件状态 过期
NXP USA Inc. 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期
供应商器件封装 CMPAK-4
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 CMPAK-4
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电压 - 额定 7V
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 7V
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额定电流 30mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 30mA
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晶体管类型 N 通道双门
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电流 - 测试 12mA
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增益 -
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