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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	67 @ 1mA，10V
频率 - 跃迁	150MHz
功率 - 最大值	300mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	25mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	40V
增益	-
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	-
关键词

产品资料

标准包装	1,000
其它名称	933164250112 BF240P BF240P-ND

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 通孔  NXP USA Inc. 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 散装   NXP USA Inc. 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  NXP USA Inc. 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-92-3  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-92-3   晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 67 @ 1mA，10V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 67 @ 1mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 67 @ 1mA，10V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 67 @ 1mA，10V   频率 - 跃迁 150MHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 150MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 150MHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 150MHz   功率 - 最大值 300mW  NXP USA Inc. 功率 - 最大值 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 300mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 300mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 25mA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 25mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 25mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 25mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  NXP USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V   增益 -  NXP USA Inc. 增益 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  NXP USA Inc. 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -