BFG31,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
>
BFG31,115
BFG31,115 -
TRANS PNP 10V 5GHZ SOT223
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
制造商产品编号:
BFG31,115
仓库库存编号:
568-6186-1-ND
描述:
TRANS PNP 10V 5GHZ SOT223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor PNP 15V 100mA 5GHz 1W Surface Mount SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
BFG31,115产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
NXP USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
175°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-223
晶体管类型
PNP
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
25 @ 70mA,10V
频率 - 跃迁
5GHz
功率 - 最大值
1W
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
15V
增益
-
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
-
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
568-6186-1
BFG31,115您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
NXP USA Inc.
TRANS PNP 25MA 15V 5GHZ SOT23
详细描述:RF Transistor PNP 15V 25mA 5GHz 300mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
型号:
BFT92,215
仓库库存编号:
568-1655-1-ND
别名:568-1655-1
无铅
搜索
BFG31,115相关搜索
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.
安装类型 表面贴装
NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
工作温度 175°C(TJ)
NXP USA Inc. 工作温度 175°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 175°C(TJ)
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 175°C(TJ)
系列 -
NXP USA Inc. 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
包装 剪切带(CT)
NXP USA Inc. 包装 剪切带(CT)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)
零件状态 过期
NXP USA Inc. 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
供应商器件封装 SOT-223
NXP USA Inc. 供应商器件封装 SOT-223
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-223
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-223
晶体管类型 PNP
NXP USA Inc. 晶体管类型 PNP
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 PNP
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 PNP
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 25 @ 70mA,10V
NXP USA Inc. 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 25 @ 70mA,10V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 25 @ 70mA,10V
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 25 @ 70mA,10V
频率 - 跃迁 5GHz
NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 5GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 5GHz
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 5GHz
功率 - 最大值 1W
NXP USA Inc. 功率 - 最大值 1W
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1W
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1W
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
NXP USA Inc. 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 15V
NXP USA Inc. 电压 - 集射极击穿(最大值) 15V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 15V
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 15V
增益 -
NXP USA Inc. 增益 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -
NXP USA Inc. 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -
NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号