关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	175°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-223
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	60 @ 40mA，8V
频率 - 跃迁	9GHz
功率 - 最大值	650mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	120mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	15V
增益	-
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	568-1984-1

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 175°C（TJ）  NXP USA Inc. 工作温度 175°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 175°C（TJ）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 175°C（TJ）   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-223  NXP USA Inc. 供应商器件封装 SOT-223  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-223  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-223   晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 40mA，8V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 40mA，8V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 40mA，8V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 40mA，8V   频率 - 跃迁 9GHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 9GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 9GHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 9GHz   功率 - 最大值 650mW  NXP USA Inc. 功率 - 最大值 650mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 650mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 650mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 120mA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 120mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 120mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 120mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  NXP USA Inc. 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V   增益 -  NXP USA Inc. 增益 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz  NXP USA Inc. 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz